Rambus заявила о том, что в планах компании к 2006 году сделать XDR DRAM mainstream-памятью на рынке. По оценкам специалистов компании, это необходимо, поскольку на рынке появляются новые, быстродействующие процессоры, операционные системы и приложения, требования которых к памяти уже практически превышают возможности существующих mainstream-решений.

Пропускная способность XDR DRAM, работающей на частоте 3,2 ГГц почти в 8 раз выше, чем у top-end памяти, используемой в системах в настоящее время, в дальнейшем будет представлена и 6,4 ГГц XDR DRAM. При использовании 128 битной шины, пропускная способность подсистемы памяти будет порядка 100 Гб/с, что в 16 раз выше, чем у существующих на сегодняшний день решений. Пропускная способность модулей XDIMM – 12,8-25,6 Гб/с, что в 4 раза выше, чем у модулей памяти DDR2 SDRAM с таким же числом контактов.

В планах производителя предложить модули на на чипах плотностью от 256 Мбит до 8 Гбит с архитектурой от x1 до x32.

К настоящему моменту лицензию на использование интерфейса памяти Rambus приобрели Samsung, Elpida, Toshiba, которые, являясь ведущими игроками на рынке, смогут обеспечить продвижение этой памяти на рынке. К тому же, Rambus обеспечила производителей всей информацией, необходимой для представления XDR в качестве mainstream-памяти: оговорены характеристики чипов XDR DRAM с программируемой длиной пакета, организации модулей, весь набор компонентов, включая буферы, тактовые генераторы, и т.п., представлена вся необходимая документация.