Компании Silicon Storage Technology и Powerchip Semiconductor Two объединяют усилия с целью производства flash-памяти третьего поколения. По условиям соглашения Silicon Storage Technology будет поставлять кремниевые пластины диаметром 300 мм, которые Powerchip Semiconductor Two станет применять для выпуска микросхем памяти, используя для этого собственную патентованную технологию. Предполагается, что новые микросхемы будут производиться по 90 нм, а позже по 65 нм техпроцессу.

Первым изделием станет 2 Гб flash-память, совместимая с нынешними NAND-продуктами. Разработка технологического процесса и отладка производства будут продолжаться на протяжении всего будущего года, а готовое изделие поступит на рынок не ранее 2005 года.