По заявлению SEMI (Semiconductor Equipment and Materials International), технология, по которой производятся современные микросхемы, близка к пределу своих возможностей; если в ближайшие 5-6 лет не будет сделано революционного прорыва в области полупроводниковых технологий, то дальнейшее совершенствование микросхем, сводящееся к росту производительности и снижению себестоимости и энергопотребления, станет невозможным.

Основным фактором, ограничивающим возможности полупроводниковых кристаллов, является их размер. Соответственно, основной характеристикой той или иной полупроводниковой технологии является толщина подложки, на которой располагаются транзисторы. Недавний переход ведущих чипмейкеров с 130 нм технологии на 90 нм полностью исчерпал возможности подложек из чистого кремния. Если их толщину продолжать уменьшать, то очень скоро технология «упрется» в физические ограничения.

Уже в этом году компания Intel намерена начать производство микросхем по 65 нм технологии, а в 2007 году запланировано начало работы с 45 нм технологией. Освоение 32 нм и 22 нм технологий запланировано компанией Intel на 2009 и 2011 годы соответственно.

SEMI считает, что в настоящий момент не существует никакого способа воплотить эти планы в жизнь; решение, которое позволит полупроводниковой индустрии перешагнуть 45 нм рубеж, потребует совместных усилий большинства ведущих разработчиков.