Три компании, Rambus, Toshiba и Elpida, анонсировали сегодня совместную разработку — новый тип памяти XDR DRAM, построенный на архитектуре Rambus XDR (Yellowstone) и обеспечивающий пропускную способность до 100 Гб/с, то есть в 8 раз выше, чем все существующие ныне стандарты. Тактовая частота шины DRSL, используемой в новых чипах памяти, составляет 3,2 ГГц, а впоследствии разработчики намерены поднять ее до 6,4 ГГц и выше.

Начало массового производства XDR DRAM намечено на 2005 год, варианты поставок новой памяти включают чипы плотностью от 256 Мб до 8 Гб и построенные на их основе модули размерностью от х1 до х32. По мнению разработчиков, основная сфера использования XDR DRAM — графических станции, серверы, мобильные системы и коммуникационное оборудование.