ad:
adGet thousands of clicks per month from Google, Bing and other search engines from as low as $299 per month. No SEO and no PPC. Flat fee per keyword. Sendg list of desired keywords and Ill send you
ad:
adI am not offering you SEO, neither PPC.
This is something completely different.
Just send us keywords of your interest and your website banner instantly appears nnumber one on Google and Bing sear
hard
Samsung планирует начать производство Toggle DDR2
Менее года прошло с тех пор как компаниями Samsung и Toshiba было решено разработать над разработкой NAND флэш-памяти с интерфейсом Toggle DDR2. И вот теперь, корейским гигантом было торжественно объявлено о скорейшем начале производства такого решения, а точнее 64 Гб (8 Гб) MLC (Multi-Level Cell) NAND-чипа с указанным интерфейсом.
Новинка произведена по технологии 20-нм класса, имеет пропускную способность равную 400 Мбит/с (сегодняшняя наиболее распространенная SDR NAND память позволяет развить скорость пропускной способности в пределах 40 Мбит/с, в то время как память с интерфейсом Toggle DDR1 ограничивается 133 Мбит/с) и нацелена в первую очередь на рынок высокопроизводительных смартфонов, таблеток и твердотельных накопителей (SSD). Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных до 6 Гб/с).
По словам представителей Samsung, на сегодняшний день 64Гб Toggle DDR2 чипы могут предоставить до 50% лучшую производительность по сравнению с 32 Гб MLC NAND чипами с Toggle DDR1 интерфейсом и 20 нм-классом.
Очевидно благодаря скорому выходу новой NAND флэш-памяти, компании Samsung все же удастся приблизится по нормам производства к своим ближайшим соперникам.