nitro.ru главная   фотогалерея  о проекте   форум   e-mail
 
 



hard
Samsung планирует начать производство Toggle DDR2
Менее года прошло с тех пор как компаниями Samsung и Toshiba было решено разработать над разработкой NAND флэш-памяти с интерфейсом Toggle DDR2. И вот теперь, корейским гигантом было торжественно объявлено о скорейшем начале производства такого решения, а точнее 64 Гб (8 Гб) MLC (Multi-Level Cell) NAND-чипа с указанным интерфейсом.
Новинка произведена по технологии 20-нм класса, имеет пропускную способность равную 400 Мбит/с (сегодняшняя наиболее распространенная SDR NAND память позволяет развить скорость пропускной способности в пределах 40 Мбит/с, в то время как память с интерфейсом Toggle DDR1 ограничивается 133 Мбит/с) и нацелена в первую очередь на рынок высокопроизводительных смартфонов, таблеток и твердотельных накопителей (SSD). Таким образом, представленные чипы обеспечат существенный прирост производительности в смартфонах нового поколения и твердотельных накопителях с интерфейсом SATA3 (скорость передачи данных до 6 Гб/с).
По словам представителей Samsung, на сегодняшний день 64Гб Toggle DDR2 чипы могут предоставить до 50% лучшую производительность по сравнению с 32 Гб MLC NAND чипами с Toggle DDR1 интерфейсом и 20 нм-классом.
Очевидно благодаря скорому выходу новой NAND флэш-памяти, компании Samsung все же удастся приблизится по нормам производства к своим ближайшим соперникам.
st41n | источник: hwp.ru | 13/05/11, 10:52




Оставьте комментарии. Возможно вам есть что добавить.


Если хотите дать ссылку, пишите полностью URL с http://
Если заключить слово в *звёздочки*, оно будет показано курсивом