nitro.ru главная   фотогалерея  о проекте   e-mail
 
 



hard
Инженеры AMD изобрели сверхбыстрый транзистор
Компания AMD приоткрыла завесу над своей новой разработкой, которая, по ее мнению, должна стать настоящим прорывом в микроэлектронике. Речь идет о транзисторе нового типа, основанном на применении ряда новейших технологий, включая технологию полностью обедненного кремния на изоляторе (fully depleted silicon-on-isolator). Такой транзистор будет работать на 30% быстрее, чем современные полупроводники. Кроме того, AMD представит транзистор, выполненный на основе технологии растянутого кремния (strained silicon), который обгонит свои аналоги по производительности на 20-25%.
AMD заявляет, что применение транзисторов, созданных с использованием этих технологий, позволит повышать производительность чипов без увеличения количества транзисторов на одном кристалле. Это, в свою очередь, будет очень важно уже во второй половине нынешнего десятилетия, когда дальнейший рост производительности за счет роста количества транзисторов станет экономически невыгодным. Обе свои разработки компания обещает детально представить в июле этого года на симпозиуме VLSI, который состоится 11 июня этого года в Киото. Будем надеяться, там AMD поведает нам, когда появятся и первые устройства с их применением.
Источник: 3DNews
st41n | 04/04/03, 09:07




Оставьте комментарии. Возможно вам есть что добавить.


Если хотите дать ссылку, пишите полностью URL с http://
Если заключить слово в *звёздочки*, оно будет показано курсивом